창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVTFS5826NLTAG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVTFS5826NL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 850pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | NVTFS5826NLTAG-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVTFS5826NLTAG | |
관련 링크 | NVTFS582, NVTFS5826NLTAG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | AQ147A330FAJME | 33pF 500V 세라믹 커패시터 A 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ147A330FAJME.pdf | |
![]() | SIT1602AI-22-33S-48.000000E | OSC XO 3.3V 48MHZ | SIT1602AI-22-33S-48.000000E.pdf | |
![]() | 2986164 | 2986164 BATTERIES SMD or Through Hole | 2986164.pdf | |
![]() | SPI8002TW(PbFree) | SPI8002TW(PbFree) SANKEN SMD or Through Hole | SPI8002TW(PbFree).pdf | |
![]() | DS8291N | DS8291N ORIGINAL DIP8 | DS8291N.pdf | |
![]() | Z85C3010LMB/883C | Z85C3010LMB/883C ZILOG LCC44 | Z85C3010LMB/883C.pdf | |
![]() | MB90F598GPFR-GSE1 | MB90F598GPFR-GSE1 FUJITSU QFP | MB90F598GPFR-GSE1.pdf | |
![]() | VP30055 | VP30055 cooper SMD or Through Hole | VP30055.pdf | |
![]() | AT25160AN-2.7 | AT25160AN-2.7 ATMEL SOP8 | AT25160AN-2.7.pdf | |
![]() | AF82801JD/SLG8T | AF82801JD/SLG8T INTEL SMD or Through Hole | AF82801JD/SLG8T.pdf | |
![]() | UPD7229AGF-018-3B9 | UPD7229AGF-018-3B9 NEC QFP | UPD7229AGF-018-3B9.pdf | |
![]() | LM22670QTJE-ADJ/NOPB | LM22670QTJE-ADJ/NOPB NS TO-263 | LM22670QTJE-ADJ/NOPB.pdf |