창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVTFS5824NLTWG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVTFS5824NL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20.5m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 850pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVTFS5824NLTWG | |
관련 링크 | NVTFS582, NVTFS5824NLTWG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 416F38425ATT | 38.4MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38425ATT.pdf | |
![]() | 4564-102J | 1mH Unshielded Inductor 150mA 6 Ohm Max Radial | 4564-102J.pdf | |
![]() | P51-200-A-Y-D-20MA-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-200-A-Y-D-20MA-000-000.pdf | |
![]() | G10899-01K | G10899-01K HAMAMATSU TO-18 | G10899-01K.pdf | |
![]() | LA7134 | LA7134 SANYO SMD | LA7134.pdf | |
![]() | MI-262-MW | MI-262-MW VICOR SMD or Through Hole | MI-262-MW.pdf | |
![]() | MRFE6S9060GNR1 | MRFE6S9060GNR1 FREESCALE SMD or Through Hole | MRFE6S9060GNR1.pdf | |
![]() | P15L1000 | P15L1000 LTC SSOP | P15L1000.pdf | |
![]() | UPD64GS-435-T1 | UPD64GS-435-T1 NEC SOP5.2mm | UPD64GS-435-T1.pdf | |
![]() | RETCN033Y102M-2 | RETCN033Y102M-2 TAIYOYUDEN SMD or Through Hole | RETCN033Y102M-2.pdf | |
![]() | SN74HC139AN | SN74HC139AN TI 16-DIP | SN74HC139AN.pdf | |
![]() | TXB0106 | TXB0106 TI TSSOP | TXB0106.pdf |