창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVTFS5824NLTAG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVTFS5824NL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20.5m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 850pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVTFS5824NLTAG | |
관련 링크 | NVTFS582, NVTFS5824NLTAG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | TPSB226K016H0600 | 22µF Molded Tantalum Capacitors 16V 1210 (3528 Metric) 600 mOhm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TPSB226K016H0600.pdf | |
![]() | 402F25012IKT | 25MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F25012IKT.pdf | |
![]() | MMXZ5246B-TP | DIODE ZENER 16V 200MW SOD323 | MMXZ5246B-TP.pdf | |
![]() | 3038-2000 | Accelerometer Z Axis ±2000g 4.5kHz Hermetic LCC | 3038-2000.pdf | |
![]() | AR3551VF | AR3551VF AKM TSSOP-24 | AR3551VF.pdf | |
![]() | 216-0707001 | 216-0707001 ATI BGA | 216-0707001.pdf | |
![]() | DBS205 | DBS205 SEP DB-1 | DBS205.pdf | |
![]() | MAX3386EEUP-T | MAX3386EEUP-T MAXIM SMD or Through Hole | MAX3386EEUP-T.pdf | |
![]() | 54S00/BEAJC | 54S00/BEAJC TI CDIP | 54S00/BEAJC.pdf | |
![]() | NCP4629HDT050T5G | NCP4629HDT050T5G ORIGINAL NA | NCP4629HDT050T5G.pdf | |
![]() | TLP621 DIP-4 | TLP621 DIP-4 ORIGINAL SMD or Through Hole | TLP621 DIP-4.pdf | |
![]() | USB97CFDCR-MN-01 | USB97CFDCR-MN-01 SMSC SMD or Through Hole | USB97CFDCR-MN-01.pdf |