창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVTFS5820NLWFTWG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVTFS5820NL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.5m옴 @ 8.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1462pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVTFS5820NLWFTWG | |
관련 링크 | NVTFS5820, NVTFS5820NLWFTWG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | B82496C3229Z | 2.2nH Unshielded Wirewound Inductor 1.5A 35 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | B82496C3229Z.pdf | |
![]() | AT0603DRD072K8L | RES SMD 2.8K OHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRD072K8L.pdf | |
![]() | UPD78214CW19 | UPD78214CW19 NEC DIP | UPD78214CW19.pdf | |
![]() | BU5265SHFV | BU5265SHFV ROHM HVSOF5 | BU5265SHFV.pdf | |
![]() | 0805-3.3R | 0805-3.3R XYT SMD or Through Hole | 0805-3.3R.pdf | |
![]() | M1649A1 | M1649A1 ALI BGA | M1649A1.pdf | |
![]() | 88E6155-A2-LKJ1COO | 88E6155-A2-LKJ1COO MARVELL QFP | 88E6155-A2-LKJ1COO.pdf | |
![]() | TGF148-1100B | TGF148-1100B ST SMD or Through Hole | TGF148-1100B.pdf | |
![]() | PQ018EH02 | PQ018EH02 SHARP TO263 | PQ018EH02.pdf | |
![]() | KDS-5D | KDS-5D ORIGINAL DIP-8 | KDS-5D.pdf | |
![]() | MM1320NBRE | MM1320NBRE MITSUMI SOT153 | MM1320NBRE.pdf | |
![]() | MCH212F474ZD | MCH212F474ZD ROHM SMD | MCH212F474ZD.pdf |