창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVTFS5811NLTWG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVTFS5811NL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.7m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1570pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVTFS5811NLTWG | |
관련 링크 | NVTFS581, NVTFS5811NLTWG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SIT9001AI-13-18D4-25.00000Y | OSC XO 1.8V 25MHZ SD -2.0% | SIT9001AI-13-18D4-25.00000Y.pdf | |
![]() | IXFH80N10Q | MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD | IXFH80N10Q.pdf | |
![]() | NS10145T4R7NNA | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 5.03A 17 mOhm Max Nonstandard | NS10145T4R7NNA.pdf | |
![]() | RX-D700 | SENSOR PHOTO 700MM 12-24VDC NPN | RX-D700.pdf | |
![]() | IR3N10N | IR3N10N SHARP SOP | IR3N10N.pdf | |
![]() | SS26-E3/S2T | SS26-E3/S2T TOSHIBA SMB | SS26-E3/S2T.pdf | |
![]() | AM28F080D-90SI | AM28F080D-90SI AMD TSSOP | AM28F080D-90SI.pdf | |
![]() | DSPIC33FJ16GS504T-E/ML | DSPIC33FJ16GS504T-E/ML MIC SMD or Through Hole | DSPIC33FJ16GS504T-E/ML.pdf | |
![]() | ET-3528W-1F6WJW4J | ET-3528W-1F6WJW4J EDISON SMD or Through Hole | ET-3528W-1F6WJW4J.pdf | |
![]() | BCR16PM-12LB-ANBO1A | BCR16PM-12LB-ANBO1A RENESAS TO-220F | BCR16PM-12LB-ANBO1A.pdf | |
![]() | CP160808T-750Y | CP160808T-750Y EROCORE SMD | CP160808T-750Y.pdf |