창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVTFS5124PLTWG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVTFS5124PL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 260m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVTFS5124PLTWG | |
관련 링크 | NVTFS512, NVTFS5124PLTWG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | 416F25012ILT | 25MHz ±10ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25012ILT.pdf | |
TLP781(GB-TP6,F) | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-SMD | TLP781(GB-TP6,F).pdf | ||
![]() | BH0647LASO | BH0647LASO PERKINELMER SMD or Through Hole | BH0647LASO.pdf | |
![]() | DA2GYE332MV | DA2GYE332MV KEC BULKPKG | DA2GYE332MV.pdf | |
![]() | LTP305R | LTP305R LITEON DIP | LTP305R.pdf | |
![]() | LQH31MN6R8J01L | LQH31MN6R8J01L MURATA ROHS | LQH31MN6R8J01L.pdf | |
![]() | 2DRH22200TA-F | 2DRH22200TA-F ROHM SOD | 2DRH22200TA-F.pdf | |
![]() | B9279.0130 | B9279.0130 TCC SMD or Through Hole | B9279.0130.pdf | |
![]() | 216CDP4AKA21HK(RS400MD) | 216CDP4AKA21HK(RS400MD) ORIGINAL BGA() | 216CDP4AKA21HK(RS400MD).pdf |