ON Semiconductor NVTFS5124PLTWG

NVTFS5124PLTWG
제조업체 부품 번호
NVTFS5124PLTWG
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
데이터 시트 다운로드
다운로드
NVTFS5124PLTWG 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 285.88700
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NVTFS5124PLTWG 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NVTFS5124PLTWG 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NVTFS5124PLTWG가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NVTFS5124PLTWG 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NVTFS5124PLTWG 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NVTFS5124PLTWG
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NVTFS5124PL
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.4A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs260m옴 @ 3A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs6nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds250pF @ 25V
전력 - 최대3W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력WDFN
공급 장치 패키지8-WDFN(3.3x3.3)
표준 포장 5,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NVTFS5124PLTWG
관련 링크NVTFS512, NVTFS5124PLTWG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NVTFS5124PLTWG 의 관련 제품
1µF 250V 세라믹 커패시터 X7T 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) CGA8P3X7T2E105K250KA.pdf
560pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) SA101A561JAC.pdf
18pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) VJ0603D180JXCAJ.pdf
25MHz ±10ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F25012ILT.pdf
Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-SMD TLP781(GB-TP6,F).pdf
BH0647LASO PERKINELMER SMD or Through Hole BH0647LASO.pdf
DA2GYE332MV KEC BULKPKG DA2GYE332MV.pdf
LTP305R LITEON DIP LTP305R.pdf
LQH31MN6R8J01L MURATA ROHS LQH31MN6R8J01L.pdf
2DRH22200TA-F ROHM SOD 2DRH22200TA-F.pdf
B9279.0130 TCC SMD or Through Hole B9279.0130.pdf
216CDP4AKA21HK(RS400MD) ORIGINAL BGA() 216CDP4AKA21HK(RS400MD).pdf