창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVTFS5124PLTAG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVTFS5124PL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 260m옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | NVTFS5124PLTAG-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVTFS5124PLTAG | |
| 관련 링크 | NVTFS512, NVTFS5124PLTAG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | HT2DC20S20/F,122 | HT2DC20S20/F,122 ORIGINAL SMD or Through Hole | HT2DC20S20/F,122.pdf | |
![]() | SG-210SCB26.6ML-L4 | SG-210SCB26.6ML-L4 ORIGINAL SMD or Through Hole | SG-210SCB26.6ML-L4.pdf | |
![]() | SM1144BV32.780M | SM1144BV32.780M PLETRONICS ORIGINAL | SM1144BV32.780M.pdf | |
![]() | 10VXWR56000M35X50 | 10VXWR56000M35X50 RUBYCON DIP | 10VXWR56000M35X50.pdf | |
![]() | 400AXF56M22X20 | 400AXF56M22X20 RUBYCON DIP | 400AXF56M22X20.pdf | |
![]() | F-29C93A | F-29C93A TEMIC QFP-44P | F-29C93A.pdf | |
![]() | VT9003E | VT9003E VT DIP18 | VT9003E.pdf | |
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![]() | HY301-32 | HY301-32 HY DIP-4 | HY301-32.pdf | |
![]() | IMSA-9681S-14Y901 | IMSA-9681S-14Y901 IRISO SMD | IMSA-9681S-14Y901.pdf | |
![]() | SH3-2 | SH3-2 STON SMD or Through Hole | SH3-2.pdf | |
![]() | 3214J-1-105 | 3214J-1-105 BOURNS SMD or Through Hole | 3214J-1-105.pdf |