창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVTFS5116PLWFTWG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVTFS5116PL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 52m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1258pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVTFS5116PLWFTWG | |
관련 링크 | NVTFS5116, NVTFS5116PLWFTWG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SIT1602BC-13-18S-26.000000E | OSC XO 1.8V 26MHZ | SIT1602BC-13-18S-26.000000E.pdf | |
![]() | VSMY1850 | Infrared (IR) Emitter 850nm 1.65V 100mA 5mW/sr @ 100mA 120° 0805 (2012 Metric) | VSMY1850.pdf | |
![]() | X0603KRX7R0BB103 | X0603KRX7R0BB103 YAGEO SMD or Through Hole | X0603KRX7R0BB103.pdf | |
![]() | TLV1549 | TLV1549 TexasInstruments SOIC PDIP-8 | TLV1549.pdf | |
![]() | 01644A | 01644A TI/BB SOP14 | 01644A.pdf | |
![]() | ARU1117 | ARU1117 AR SMD or Through Hole | ARU1117.pdf | |
![]() | P6SMB/2W10CA | P6SMB/2W10CA JAT SMB 2W | P6SMB/2W10CA.pdf | |
![]() | AD7846KPZ-REEL | AD7846KPZ-REEL AD PLCC28 | AD7846KPZ-REEL.pdf | |
![]() | CY62128V18LL-200ZA | CY62128V18LL-200ZA CYPRESS TSOP32 | CY62128V18LL-200ZA.pdf | |
![]() | SE6022 | SE6022 FCH CAN | SE6022.pdf | |
![]() | LTC6605IDJC-7#PBF/CD | LTC6605IDJC-7#PBF/CD LT QFN | LTC6605IDJC-7#PBF/CD.pdf |