창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVTFS5116PLTWG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVTFS5116PL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 52m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1258pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVTFS5116PLTWG | |
관련 링크 | NVTFS511, NVTFS5116PLTWG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | GRM1885C1H8R1DZ01D | 8.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C1H8R1DZ01D.pdf | |
![]() | SG-8003JF-SEC | 1MHz ~ 166MHz CMOS XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 10mA Standby | SG-8003JF-SEC.pdf | |
![]() | UH3BHE3_A/I | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | UH3BHE3_A/I.pdf | |
![]() | MLF1005VR47KT000 | 470nH Unshielded Multilayer Inductor 120mA 1.5 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | MLF1005VR47KT000.pdf | |
![]() | RN60C1003FRE6 | RN60C1003FRE6 DALE SMD or Through Hole | RN60C1003FRE6.pdf | |
![]() | FM25L25-SC | FM25L25-SC RAMTRON SOP-8 | FM25L25-SC.pdf | |
![]() | F002NBT-90PC | F002NBT-90PC ORIGINAL DIP | F002NBT-90PC.pdf | |
![]() | 10TF160 | 10TF160 MOUNTAINSWITCH/WSI SMD or Through Hole | 10TF160.pdf | |
![]() | L1119-18-AA3-A-R | L1119-18-AA3-A-R UTC SOT223 | L1119-18-AA3-A-R.pdf | |
![]() | MAX8559EBAJJ | MAX8559EBAJJ MAXIM UCSP | MAX8559EBAJJ.pdf | |
![]() | M68AF511-AL55MC6 | M68AF511-AL55MC6 ST SOP32 | M68AF511-AL55MC6.pdf | |
![]() | CB177K0823KBC | CB177K0823KBC AVX SMD | CB177K0823KBC.pdf |