창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVTFS5116PLTWG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVTFS5116PL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 52m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1258pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVTFS5116PLTWG | |
관련 링크 | NVTFS511, NVTFS5116PLTWG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CGA3E2C0G1H120J080AA | 12pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E2C0G1H120J080AA.pdf | |
![]() | CPR20130R0KE10 | RES 130 OHM 20W 10% RADIAL | CPR20130R0KE10.pdf | |
![]() | FRL-644D24/1AS | FRL-644D24/1AS FUJ DIP | FRL-644D24/1AS.pdf | |
![]() | 10UH-0810 | 10UH-0810 LY SMD or Through Hole | 10UH-0810.pdf | |
![]() | SP704 | SP704 SIPEX SMD or Through Hole | SP704.pdf | |
![]() | SPRX1 4R7J | SPRX1 4R7J AUK NA | SPRX1 4R7J.pdf | |
![]() | KM62256 | KM62256 SAMS DIP28 | KM62256.pdf | |
![]() | BZX84-C10/T1 | BZX84-C10/T1 ST DIP | BZX84-C10/T1.pdf | |
![]() | XC95144XL TQ100-10-I | XC95144XL TQ100-10-I XILINX TQFN100 | XC95144XL TQ100-10-I.pdf | |
![]() | DFY1880J1960C-T | DFY1880J1960C-T PARTRON 3018 | DFY1880J1960C-T.pdf | |
![]() | PTRF615PG23 | PTRF615PG23 ORIGINAL QFN | PTRF615PG23.pdf | |
![]() | SC428995CDME | SC428995CDME FRESSCAL SOP | SC428995CDME.pdf |