창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVTFS4C06NTAG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVTFS4C06N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1683pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVTFS4C06NTAG | |
관련 링크 | NVTFS4C, NVTFS4C06NTAG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CSC1V225MTR | CSC1V225MTR ORIGINAL C | CSC1V225MTR.pdf | |
![]() | B76006V2279M035 | B76006V2279M035 EPCOS NA | B76006V2279M035.pdf | |
![]() | D70335-10 | D70335-10 ORIGINAL PLCC84 | D70335-10.pdf | |
![]() | SAB-C501G-1RW | SAB-C501G-1RW SIEMENS SMD or Through Hole | SAB-C501G-1RW.pdf | |
![]() | OP777ARS | OP777ARS AD SOP-8 | OP777ARS.pdf | |
![]() | XC2S200-PQ208AMS | XC2S200-PQ208AMS XC QFP | XC2S200-PQ208AMS.pdf | |
![]() | TC7650IJA | TC7650IJA MICROCHIP SMD or Through Hole | TC7650IJA.pdf | |
![]() | 150C60B | 150C60B microsemi SMD or Through Hole | 150C60B.pdf | |
![]() | LQH31MNR82K01L | LQH31MNR82K01L MURATA 1206 | LQH31MNR82K01L.pdf | |
![]() | 2SC3665-Y/F | 2SC3665-Y/F TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SC3665-Y/F.pdf | |
![]() | 1SV293/TH | 1SV293/TH AMP/TYCO SMD or Through Hole | 1SV293/TH.pdf |