창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVTFS4823NWFTAG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVTFS4823N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.5m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 750pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVTFS4823NWFTAG | |
관련 링크 | NVTFS4823, NVTFS4823NWFTAG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SMA6T47AY | TVS DIODE 40VWM 73.6VC SMA | SMA6T47AY.pdf | |
![]() | AT0402CRD0723K2L | RES SMD 23.2K OHM 1/16W 0402 | AT0402CRD0723K2L.pdf | |
![]() | Y1189665R000BR13L | RES 665 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y1189665R000BR13L.pdf | |
![]() | Y0062368R000V0L | RES 368 OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y0062368R000V0L.pdf | |
![]() | 0603 0.01R-0.091R +-1% | 0603 0.01R-0.091R +-1% ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603 0.01R-0.091R +-1%.pdf | |
![]() | BUL1102E,BUL1102EFP | BUL1102E,BUL1102EFP ST SMD or Through Hole | BUL1102E,BUL1102EFP.pdf | |
![]() | PSD833F2-90MI | PSD833F2-90MI WSI QFP-52P | PSD833F2-90MI.pdf | |
![]() | PCM1718E(002824) | PCM1718E(002824) BB SOP20 | PCM1718E(002824).pdf | |
![]() | 2SK2248 | 2SK2248 FUJITSU TO252 | 2SK2248.pdf | |
![]() | DR30E3L-M4G | DR30E3L-M4G FUJI SMD or Through Hole | DR30E3L-M4G.pdf | |
![]() | KW4020.V4.0.50XR/3014.2088.2522 | KW4020.V4.0.50XR/3014.2088.2522 ORIGINAL SMD28 | KW4020.V4.0.50XR/3014.2088.2522.pdf | |
![]() | DP8352 | DP8352 NS DIP | DP8352.pdf |