창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVTFS4823NTWG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVTFS4823N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.5m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 750pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVTFS4823NTWG | |
| 관련 링크 | NVTFS48, NVTFS4823NTWG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 406C35E16M93440 | 16.9344MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 406C35E16M93440.pdf | |
![]() | FXO-PC738-106.25 | 106.25MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 120mA Enable/Disable | FXO-PC738-106.25.pdf | |
![]() | RD18ES-AB1 | RD18ES-AB1 NEC SMD or Through Hole | RD18ES-AB1.pdf | |
![]() | SKT110/12 | SKT110/12 Semikron module | SKT110/12.pdf | |
![]() | FP6130-33GR3PTR | FP6130-33GR3PTR ORIGINAL SOT-223 | FP6130-33GR3PTR.pdf | |
![]() | HOA1405-1 | HOA1405-1 HONEYWELL SMD or Through Hole | HOA1405-1.pdf | |
![]() | C7P7C62127-3AC | C7P7C62127-3AC ORIGINAL SOP24 | C7P7C62127-3AC.pdf | |
![]() | MAX1792EUA33+T NOPB | MAX1792EUA33+T NOPB MAXIM MSOP | MAX1792EUA33+T NOPB.pdf | |
![]() | LP3999ITLX-3.3V | LP3999ITLX-3.3V NSC SOT-89 | LP3999ITLX-3.3V.pdf | |
![]() | L7200-SL9SN 1.33/4M/667 | L7200-SL9SN 1.33/4M/667 Intel BGA | L7200-SL9SN 1.33/4M/667.pdf |