ON Semiconductor NVMFS6B14NWFT3G

NVMFS6B14NWFT3G
제조업체 부품 번호
NVMFS6B14NWFT3G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL
데이터 시트 다운로드
다운로드
NVMFS6B14NWFT3G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,290.72300
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NVMFS6B14NWFT3G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NVMFS6B14NWFT3G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NVMFS6B14NWFT3G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NVMFS6B14NWFT3G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NVMFS6B14NWFT3G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NVMFS6B14NWFT3G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NVMFS6B14N
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C-
Rds On(최대) @ Id, Vgs15m옴 @ 20A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs20nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1300pF @ 50V
전력 - 최대3.8W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6)
표준 포장 5,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NVMFS6B14NWFT3G
관련 링크NVMFS6B14, NVMFS6B14NWFT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NVMFS6B14NWFT3G 의 관련 제품
9pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) CL03C090CA3GNNH.pdf
27MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F27012CKR.pdf
1.5µH Unshielded Inductor 455mA 730 mOhm Max 2-SMD 4302R-152F.pdf
W40S11-02H-T CYPRESS SMD or Through Hole W40S11-02H-T.pdf
929870-01-19-10 M/WSI SMD or Through Hole 929870-01-19-10.pdf
2SC4155-T11-1S ORIGINAL SOT-323 2SC4155-T11-1S.pdf
HUF75309S3S FAIRCHILD SOT-263 HUF75309S3S.pdf
P208528P10 AMPHENOL SMD or Through Hole P208528P10.pdf
STK421II SANYO HYB-22 STK421II.pdf
BULD804T4 ST SMD or Through Hole BULD804T4.pdf
293D156X0025D2T VISHAY SMD or Through Hole 293D156X0025D2T.pdf
FAN2502S/AEA FAICHILD SMD or Through Hole FAN2502S/AEA.pdf