ON Semiconductor NVMFS6B14NWFT1G

NVMFS6B14NWFT1G
제조업체 부품 번호
NVMFS6B14NWFT1G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL
데이터 시트 다운로드
다운로드
NVMFS6B14NWFT1G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,439.65267
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NVMFS6B14NWFT1G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NVMFS6B14NWFT1G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NVMFS6B14NWFT1G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NVMFS6B14NWFT1G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NVMFS6B14NWFT1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NVMFS6B14NWFT1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NVMFS6B14N
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C-
Rds On(최대) @ Id, Vgs15m옴 @ 20A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs20nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1300pF @ 50V
전력 - 최대3.8W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6)
표준 포장 1,500
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NVMFS6B14NWFT1G
관련 링크NVMFS6B14, NVMFS6B14NWFT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NVMFS6B14NWFT1G 의 관련 제품
RES NETWORK 2 RES MULT OHM Y0000318513.pdf
MAX6328UR26 MAXIM SMD or Through Hole MAX6328UR26.pdf
VICOR007J MOT SOP VICOR007J.pdf
9810089 ORIGINAL SMD or Through Hole 9810089.pdf
SMD-453232-821K ORIGINAL 0.5K SMD-453232-821K.pdf
24LC22A-I/SN MICR SOP-8 24LC22A-I/SN.pdf
LZ4-00MN00 LedEnginInc SMD or Through Hole LZ4-00MN00.pdf
SA24CARL ONSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole SA24CARL.pdf
KM62U256DLTGI-8L SAMSUNG TSOP KM62U256DLTGI-8L.pdf
XC2V250-5FG XILINX SMD or Through Hole XC2V250-5FG.pdf
MP10226EF-LF-Z MPS TSSOP20 MP10226EF-LF-Z.pdf
M52002SP MITSUBIS DIP42 M52002SP.pdf