창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFS6B14NLWFT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFS6B14NL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | * | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta), 55A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1680pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | * | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFS6B14NLWFT3G | |
| 관련 링크 | NVMFS6B14, NVMFS6B14NLWFT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 416F38035AAT | 38MHz ±30ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38035AAT.pdf | |
![]() | PAM2301CAABADJ. | PAM2301CAABADJ. PAM SOT23-5 | PAM2301CAABADJ..pdf | |
![]() | ADS6224IRGZT | ADS6224IRGZT TI SMD or Through Hole | ADS6224IRGZT.pdf | |
![]() | ICS308RLFT | ICS308RLFT TDT SSOP-20L | ICS308RLFT.pdf | |
![]() | C186EB20 | C186EB20 Intel TQFP | C186EB20.pdf | |
![]() | SN74AHC158PW | SN74AHC158PW TI TSSOP14 | SN74AHC158PW.pdf | |
![]() | ispLSL2032A-80LJ | ispLSL2032A-80LJ ORIGINAL PLCC44 | ispLSL2032A-80LJ.pdf | |
![]() | B57541G1103F005 | B57541G1103F005 EPCOS DIP | B57541G1103F005.pdf | |
![]() | B59883C0120A070 | B59883C0120A070 EPCOS DIP | B59883C0120A070.pdf | |
![]() | LM4040EIM3X-2.0 TEL:82766440 | LM4040EIM3X-2.0 TEL:82766440 NS SMD or Through Hole | LM4040EIM3X-2.0 TEL:82766440.pdf | |
![]() | TPA2000DZPWPB | TPA2000DZPWPB ORIGINAL SMD or Through Hole | TPA2000DZPWPB.pdf | |
![]() | MAX6126A30+ | MAX6126A30+ Maxim SSOP | MAX6126A30+.pdf |