창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFS6B05NT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFS6B05N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFS6B05NT3G | |
| 관련 링크 | NVMFS6B, NVMFS6B05NT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 16NSEV33M6.3X5.5 | 33µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 85°C | 16NSEV33M6.3X5.5.pdf | |
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![]() | RG1608V-561-B-T5 | RES SMD 560 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608V-561-B-T5.pdf | |
![]() | AHC2G34HDCUR-1/SN32469DCUR | AHC2G34HDCUR-1/SN32469DCUR TI SOP-8 | AHC2G34HDCUR-1/SN32469DCUR.pdf | |
![]() | TACT82202N | TACT82202N TI DIP | TACT82202N.pdf | |
![]() | LS472M1E-2025 | LS472M1E-2025 X DIP | LS472M1E-2025.pdf | |
![]() | MCT2202VM | MCT2202VM FSC DIPSOP | MCT2202VM.pdf | |
![]() | SS210SMB | SS210SMB TOS SMD or Through Hole | SS210SMB.pdf | |
![]() | CP453215T-600Y | CP453215T-600Y EROCORE NA | CP453215T-600Y.pdf | |
![]() | SG-8002CE 12.000M | SG-8002CE 12.000M KDS SMD or Through Hole | SG-8002CE 12.000M.pdf | |
![]() | A-573G | A-573G PARA ROHS | A-573G.pdf |