ON Semiconductor NVMFS6B03NLWFT1G

NVMFS6B03NLWFT1G
제조업체 부품 번호
NVMFS6B03NLWFT1G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
데이터 시트 다운로드
다운로드
NVMFS6B03NLWFT1G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 4,346.68267
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NVMFS6B03NLWFT1G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NVMFS6B03NLWFT1G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NVMFS6B03NLWFT1G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NVMFS6B03NLWFT1G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NVMFS6B03NLWFT1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NVMFS6B03NLWFT1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 미준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NVMFS6B03NL
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열자동차, AEC-Q101
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황신제품
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C*
Rds On(최대) @ Id, Vgs4m옴 @ 20A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs9.4nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds5320pF @ 25V
전력 - 최대3.9W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6)
표준 포장 1,500
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NVMFS6B03NLWFT1G
관련 링크NVMFS6B03, NVMFS6B03NLWFT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NVMFS6B03NLWFT1G 의 관련 제품
IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY IMP1-2Q1-2W1-1Q1-4QQ0-00-A.pdf
RES SMD 30.1KOHM 0.1% 1/16W 0402 RG1005P-3012-B-T5.pdf
ADD-ON KIT FOR DVK-2 ADD5043-868-2-GEVK.pdf
MAX987EUK+T MAXIM SOT23-5 MAX987EUK+T.pdf
132150 ORIGINAL SMD or Through Hole 132150.pdf
PX3535DDRG-R2-NV010-A PRIMARION QFP-48 PX3535DDRG-R2-NV010-A.pdf
BD5324FVE-TR ROHM SMD or Through Hole BD5324FVE-TR.pdf
GEL2113 GE DIP14 GEL2113.pdf
KG362A2DXA246 APEM/WSI SMD or Through Hole KG362A2DXA246.pdf
MP5P24 ORIGINAL CDIP8 MP5P24.pdf
TB3M ORIGINAL SMD or Through Hole TB3M.pdf
SD1132-5 ST SMD or Through Hole SD1132-5.pdf