창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFS5C682NLT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFS5C682NL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 21m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 16µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 410pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFS5C682NLT3G | |
| 관련 링크 | NVMFS5C68, NVMFS5C682NLT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
| UVZ1C333MRH | 33000µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UVZ1C333MRH.pdf | ||
![]() | 06033AR75CAT2A | 0.75pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06033AR75CAT2A.pdf | |
| LQH31HNR75J03L | 750nH Unshielded Wirewound Inductor 190mA 1.027 Ohm Max 1206 (3216 Metric) | LQH31HNR75J03L.pdf | ||
![]() | AISR-01-122J | 1.2mH Shielded Wirewound Inductor 75mA 3.7 Ohm Max Radial | AISR-01-122J.pdf | |
![]() | CMF601R0000GLRE | RES 1 OHM 1W 2% AXIAL | CMF601R0000GLRE.pdf | |
![]() | FS0201NN | FS0201NN FAGOR SMD or Through Hole | FS0201NN.pdf | |
![]() | 478KXM016M | 478KXM016M ILLCAP DIP | 478KXM016M.pdf | |
![]() | JG0-1015NL | JG0-1015NL Pulse SOPDIP | JG0-1015NL.pdf | |
![]() | CAT35C104KI-LE10 | CAT35C104KI-LE10 CSI SMD or Through Hole | CAT35C104KI-LE10.pdf | |
![]() | 29DL163BD-90PFTN | 29DL163BD-90PFTN FUJITSU SSOP | 29DL163BD-90PFTN.pdf | |
![]() | KMR-02 | KMR-02 ORIGINAL SMD or Through Hole | KMR-02.pdf | |
![]() | PT74926 | PT74926 ORIGINAL SMD or Through Hole | PT74926.pdf |