ON Semiconductor NVMFS5C646NLT1G

NVMFS5C646NLT1G
제조업체 부품 번호
NVMFS5C646NLT1G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 20A SO8FL
데이터 시트 다운로드
다운로드
NVMFS5C646NLT1G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 851.21533
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NVMFS5C646NLT1G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NVMFS5C646NLT1G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NVMFS5C646NLT1G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NVMFS5C646NLT1G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NVMFS5C646NLT1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NVMFS5C646NLT1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NVMFS5C646NL
PCN 설계/사양T6 40V/60V Datasheet Update 30/Dec/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C20A(Ta), 93A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.7m옴 @ 50A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs33.7nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2164pF @ 25V
전력 - 최대3.7W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6)
표준 포장 1,500
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NVMFS5C646NLT1G
관련 링크NVMFS5C64, NVMFS5C646NLT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NVMFS5C646NLT1G 의 관련 제품
0.015µF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) VJ1808Y153MXEAT5Z.pdf
OSC XO 3.3V 30MHZ NC SIT5001AI-2E-33N0-30.000000Y.pdf
LED Lighting LH351B White, Warm 3000K 2.8V 350mA 120° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad SPHWH2L3D30CD4V0J3.pdf
15µH Unshielded Wirewound Inductor 3.6A 33.6 mOhm Max Nonstandard NS10165T150MNV.pdf
RES ARRAY 4 RES 390 OHM 0804 CAY10-391J4LF.pdf
SENSOR TEMPERATURE SPI SOT23-6 ADT7301ARTZ-REEL7.pdf
SS1205150MLB ABC SMD or Through Hole SS1205150MLB.pdf
FP6801-21NS5G Fitipower SOT23-5 FP6801-21NS5G.pdf
HC2G277M35030 samwha DIP-2 HC2G277M35030.pdf
IHLP5050FDRZ6R8M VISHAY SMD IHLP5050FDRZ6R8M.pdf
ZP12000 CTE SMD or Through Hole ZP12000.pdf