창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFS5C628NLWFT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFS5C628NL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 135µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFS5C628NLWFT1G | |
| 관련 링크 | NVMFS5C628, NVMFS5C628NLWFT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D180JXPAC | 18pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D180JXPAC.pdf | |
![]() | B82791G15A16 | 4.7mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 100mA DCR 850 mOhm (Typ) | B82791G15A16.pdf | |
![]() | RLP73N1JR30FTDF | RES SMD 0.3 OHM 1% 1/8W 0603 | RLP73N1JR30FTDF.pdf | |
![]() | SFR16S0003002JR500 | RES 30K OHM 1/2W 5% AXIAL | SFR16S0003002JR500.pdf | |
| RSMF12FBR619 | RES MO 1/2W 0.619 OHM 1% AXIAL | RSMF12FBR619.pdf | ||
![]() | CMF5561R900DHR6 | RES 61.9 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5561R900DHR6.pdf | |
![]() | EL2002J | EL2002J EL CDIP-8 | EL2002J.pdf | |
![]() | DS1010S -400 | DS1010S -400 DALLAS SOP-16 | DS1010S -400.pdf | |
![]() | 6MBP300RTS060 | 6MBP300RTS060 FUJI SMD or Through Hole | 6MBP300RTS060.pdf | |
![]() | D30210GD-177 | D30210GD-177 NEC QFP | D30210GD-177.pdf | |
![]() | MBI5039G | MBI5039G ORIGINAL SMD | MBI5039G.pdf |