창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFS5C628NLT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFS5C628NL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 135µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFS5C628NLT1G | |
| 관련 링크 | NVMFS5C62, NVMFS5C628NLT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
| URY1H681MRD | 680µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | URY1H681MRD.pdf | ||
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| P0762.684NLT | 680µH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 5.3 Ohm Max Nonstandard | P0762.684NLT.pdf | ||
![]() | Y01061K00000U0L | RES 1K OHM 1.5W 0.002% AXIAL | Y01061K00000U0L.pdf | |
![]() | PIO54-180MT | PIO54-180MT Fenghua SMD | PIO54-180MT.pdf | |
![]() | Mps8050s-c/p | Mps8050s-c/p KEC SMD or Through Hole | Mps8050s-c/p.pdf | |
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![]() | STS9018 | STS9018 SAMPLE SMD or Through Hole | STS9018.pdf | |
![]() | CIC327IE | CIC327IE NEC SMD or Through Hole | CIC327IE.pdf | |
![]() | LTC5921 | LTC5921 LT SSOP | LTC5921.pdf | |
![]() | M-190G | M-190G EPSON N A | M-190G.pdf |