창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFS5C604NLWFT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFS5C604NL | |
| PCN 설계/사양 | T6 40V/60V Datasheet Update 30/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Ta), 287A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.9W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFS5C604NLWFT3G | |
| 관련 링크 | NVMFS5C604, NVMFS5C604NLWFT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | DE1B3KX101KA4BN01F | 100pF 250V 세라믹 커패시터 B 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | DE1B3KX101KA4BN01F.pdf | |
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![]() | RNCF0603BKE15K0 | RES SMD 15K OHM 0.1% 1/10W 0603 | RNCF0603BKE15K0.pdf | |
![]() | RT0805WRE0739R2L | RES SMD 39.2 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRE0739R2L.pdf | |
![]() | 768161821GPTR13 | RES ARRAY 15 RES 820 OHM 16SOIC | 768161821GPTR13.pdf | |
![]() | HWCA102 | HWCA102 HITACHI 8885MHZ | HWCA102.pdf | |
![]() | TPS3824-30DBVRG4 TEL:82766440 | TPS3824-30DBVRG4 TEL:82766440 TI SMD or Through Hole | TPS3824-30DBVRG4 TEL:82766440.pdf | |
![]() | CS16LV20483GCR70 | CS16LV20483GCR70 n/a SMD or Through Hole | CS16LV20483GCR70.pdf | |
![]() | ck1055r | ck1055r lorlin SMD or Through Hole | ck1055r.pdf | |
![]() | NB100LVEP56MNR2G | NB100LVEP56MNR2G OnSemi QFN-24 | NB100LVEP56MNR2G.pdf | |
![]() | 7-1393238-5 | 7-1393238-5 TEConnectivity SMD or Through Hole | 7-1393238-5.pdf |