창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVMFS5C456NLWFT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVMFS5C456NL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVMFS5C456NLWFT3G | |
관련 링크 | NVMFS5C456, NVMFS5C456NLWFT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | RE0402DRE0717K4L | RES SMD 17.4KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RE0402DRE0717K4L.pdf | |
![]() | PTF56100K00BYEB | RES 100K OHM .1% 10 PPM 1/8W | PTF56100K00BYEB.pdf | |
![]() | MM8003ZN | MM8003ZN MIT SOP | MM8003ZN.pdf | |
![]() | 2SD602-RTX | 2SD602-RTX NEC SMD or Through Hole | 2SD602-RTX.pdf | |
![]() | C3216Y5V1E225Z00T | C3216Y5V1E225Z00T TDK 1206 | C3216Y5V1E225Z00T.pdf | |
![]() | LTH8002 | LTH8002 ORIGINAL SOP8 | LTH8002.pdf | |
![]() | MP1583 mp1583 | MP1583 mp1583 ORIGINAL SOP-8 | MP1583 mp1583.pdf | |
![]() | EP1M120F484C5 | EP1M120F484C5 ALTERA SMD or Through Hole | EP1M120F484C5.pdf | |
![]() | RC0603JR-10 22K | RC0603JR-10 22K YAGEO SMD or Through Hole | RC0603JR-10 22K.pdf | |
![]() | MC68B05S | MC68B05S ORIGINAL CDIP24 | MC68B05S.pdf | |
![]() | LAH-63V103MS6 | LAH-63V103MS6 ELNA DIP-2 | LAH-63V103MS6.pdf | |
![]() | PFR5332F63J11L16.5TA16 | PFR5332F63J11L16.5TA16 Kemet SMD or Through Hole | PFR5332F63J11L16.5TA16.pdf |