창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFS5C450NT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFS5C450N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 65µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFS5C450NT1G | |
| 관련 링크 | NVMFS5C4, NVMFS5C450NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
| UPW2G220MHD1TN | 22µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can 8000 Hrs @ 105°C | UPW2G220MHD1TN.pdf | ||
![]() | SQCB7M4R7CAJWE | 4.7pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB7M4R7CAJWE.pdf | |
![]() | SM15T22A-M3/9AT | TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC DO-214A | SM15T22A-M3/9AT.pdf | |
![]() | 416F250X3CAT | 25MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F250X3CAT.pdf | |
![]() | N71-0100780-A37 | N71-0100780-A37 ORIGINAL SMD or Through Hole | N71-0100780-A37.pdf | |
![]() | TLP630(GB-)-F | TLP630(GB-)-F Toshiba SMD or Through Hole | TLP630(GB-)-F.pdf | |
![]() | TDE1893RFP | TDE1893RFP ST SOP20 | TDE1893RFP.pdf | |
![]() | SN74LVC2G17DBVT | SN74LVC2G17DBVT TI SOT23-6 | SN74LVC2G17DBVT.pdf | |
![]() | 679-9 | 679-9 ORIGINAL SMD or Through Hole | 679-9.pdf | |
![]() | K9NCG08U5M-PCB0000 | K9NCG08U5M-PCB0000 SAMSUNG TSOP48 | K9NCG08U5M-PCB0000.pdf | |
![]() | CD4572UBEE4 | CD4572UBEE4 TIS Call | CD4572UBEE4.pdf | |
![]() | MB29F080-90PFTN | MB29F080-90PFTN FUJ SMD or Through Hole | MB29F080-90PFTN.pdf |