ON Semiconductor NVMFS5C430NT1G

NVMFS5C430NT1G
제조업체 부품 번호
NVMFS5C430NT1G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 40V SO8FL
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내부 부품 번호EIS-NVMFS5C430NT1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NVMFS5C430N
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C-
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.7m옴 @ 50A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs47nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3300pF @ 25V
전력 - 최대3.8W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6)
표준 포장 1,500
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NVMFS5C430NT1G
관련 링크NVMFS5C4, NVMFS5C430NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
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12MHz ±30ppm 수정 30pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD 445W35G12M00000.pdf
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RES SMD 30.9 OHM 0.1% 1/4W 1206 RP73D2B30R9BTDF.pdf
LT3570IFE#TRPBF LT SSOP LT3570IFE#TRPBF.pdf
F930J336MCMBMA Nichicon SMD or Through Hole F930J336MCMBMA.pdf
2SK2404 SANYO TO-263 2SK2404.pdf
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ERDS1TJ181T N/A SMD or Through Hole ERDS1TJ181T.pdf