ON Semiconductor NVMFS5C426NWFT1G
- 제조업체 부품 번호
- NVMFS5C426NWFT1G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V SO8FL
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
NVMFS5C426NWFT1G 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,321.77600
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 NVMFS5C426NWFT1G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NVMFS5C426NWFT1G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NVMFS5C426NWFT1G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- NVMFS5C426NWFT1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NVMFS5C426NWFT1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFS5C426NWFT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFS5C426N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 65nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFS5C426NWFT1G | |
| 관련 링크 | NVMFS5C42, NVMFS5C426NWFT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
NVMFS5C426NWFT1G 의 관련 제품
 | MLP143M020EA0A | 14000µF 20V Aluminum Capacitors FlatPack, Tabbed 56 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | MLP143M020EA0A.pdf | |
 | MKT1813368254 | 0.068µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Axial 0.236" Dia x 0.551" L (6.00mm x 14.00mm) | MKT1813368254.pdf | |
 | TC33X-2-201G | 200 Ohm 0.1W, 1/10W J Lead Surface Mount Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Top Adjustment | TC33X-2-201G.pdf | |
 | AISC-0603-R015G-T | 15nH Unshielded Wirewound Inductor 550mA 150 mOhm Max Nonstandard | AISC-0603-R015G-T.pdf | |
| IRLZ24L/NL | IRLZ24L/NL IR TO 262 | IRLZ24L/NL.pdf | |
| P89V51RB2BBC | P89V51RB2BBC NXP-SST QFP44 | P89V51RB2BBC.pdf | |
| K6X8008T2B-YF70 | K6X8008T2B-YF70 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6X8008T2B-YF70.pdf | |
| YL-FSZ518 | YL-FSZ518 HLY SMD or Through Hole | YL-FSZ518.pdf | |
| HC2E158M40050 | HC2E158M40050 SAMWHA SMD or Through Hole | HC2E158M40050.pdf | |
| LA1077 | LA1077 ORIGINAL SMD or Through Hole | LA1077.pdf | |
| BU5281SG | BU5281SG ROHM SMD or Through Hole | BU5281SG.pdf | |
| AD5735ACPZ-REEL7 | AD5735ACPZ-REEL7 ADI LFCSP-64 | AD5735ACPZ-REEL7.pdf |