창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFS5C404NWFT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFS5C404N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 53A(Ta), 378A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.7m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 128nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.9W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFS5C404NWFT1G | |
| 관련 링크 | NVMFS5C40, NVMFS5C404NWFT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | IXFA18N60X | MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA | IXFA18N60X.pdf | |
![]() | PA1121.101NLT | PA1121.101NLT PULSE SMD or Through Hole | PA1121.101NLT.pdf | |
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![]() | UPD166413 | UPD166413 NEC TO-252-5 | UPD166413.pdf | |
![]() | C2012C0G1H470JT000N | C2012C0G1H470JT000N TDK SMD or Through Hole | C2012C0G1H470JT000N.pdf | |
![]() | 31-217 (UG-349A/U) | 31-217 (UG-349A/U) ORIGINAL NEW | 31-217 (UG-349A/U).pdf | |
![]() | 16V8Z | 16V8Z ORIGINAL PLCC | 16V8Z.pdf | |
![]() | XL2596-3.3 | XL2596-3.3 ORIGINAL TO-263TO-220 | XL2596-3.3.pdf | |
![]() | HL2258 | HL2258 ASIC DIP20 | HL2258.pdf | |
![]() | SP3232EUEP | SP3232EUEP SIPEX DIP16 | SP3232EUEP.pdf | |
![]() | BRN6036-0007S | BRN6036-0007S bourns DIP | BRN6036-0007S.pdf |