창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFS5C404NLT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFS5C404NL | |
| PCN 설계/사양 | T6 40V/60V Datasheet Update 30/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 49A(Ta), 352A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.75m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 181nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12168pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.9W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFS5C404NLT3G | |
| 관련 링크 | NVMFS5C40, NVMFS5C404NLT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | CL-170SR-CD | CL-170SR-CD CITIZEN ROHS | CL-170SR-CD.pdf | |
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![]() | BST12-0.7S06PCM | BST12-0.7S06PCM Bellnix SMD or Through Hole | BST12-0.7S06PCM.pdf | |
![]() | QFBT-2548 | QFBT-2548 AGILENT SMD or Through Hole | QFBT-2548.pdf | |
![]() | RMC1/10W12.4K1%R | RMC1/10W12.4K1%R SEI SMD or Through Hole | RMC1/10W12.4K1%R.pdf | |
![]() | 8D8901V100 | 8D8901V100 HI BGA | 8D8901V100.pdf | |
![]() | LP2612ER | LP2612ER M-PUISE QFN | LP2612ER.pdf |