창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVMFS5834NLWFT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTMFS5834NL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta), 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.3m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1231pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 3.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVMFS5834NLWFT1G | |
관련 링크 | NVMFS5834, NVMFS5834NLWFT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
ECW-F2224JB | 0.22µF Film Capacitor 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.276" W (18.00mm x 7.00mm) | ECW-F2224JB.pdf | ||
1.5KE300CA-T | TVS DIODE 256VWM 414VC DO201A | 1.5KE300CA-T.pdf | ||
8827CRNG | 8827CRNG TOSHIBA DIP | 8827CRNG.pdf | ||
NMPD0103C | NMPD0103C Murat SMD or Through Hole | NMPD0103C.pdf | ||
STP80N03L-04 | STP80N03L-04 ST TO-220 | STP80N03L-04.pdf | ||
893D227X56R3E2W | 893D227X56R3E2W Vishay SMD | 893D227X56R3E2W.pdf | ||
SST4126(RVZ) | SST4126(RVZ) ORIGINAL SOT-23 | SST4126(RVZ).pdf | ||
LMBZ10VALT1G | LMBZ10VALT1G LRC SOT-23 | LMBZ10VALT1G.pdf | ||
LQH31MN56NJ03L | LQH31MN56NJ03L MURATA SMD or Through Hole | LQH31MN56NJ03L.pdf | ||
R3132D19EA-TR-FA | R3132D19EA-TR-FA RICOH SMD or Through Hole | R3132D19EA-TR-FA.pdf | ||
TN85C090-15 | TN85C090-15 INTEL PLCC44 | TN85C090-15.pdf | ||
PL130-01AOC-DIB-L | PL130-01AOC-DIB-L PHASELIN SOP8 | PL130-01AOC-DIB-L.pdf |