창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVMFS5833NWFT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVMFS5833N(WF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1714pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVMFS5833NWFT3G | |
관련 링크 | NVMFS5833, NVMFS5833NWFT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 12062A100GAT2A | 10pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12062A100GAT2A.pdf | |
![]() | MKP1848S62050JY2B | 20µF Film Capacitor 500V Polypropylene (PP), Metallized Radial 2.264" L x 1.300" W (57.50mm x 33.00mm) | MKP1848S62050JY2B.pdf | |
![]() | TNPW201022R0FHEF | RES SMD 22 OHM 1% 0.4W 2010 | TNPW201022R0FHEF.pdf | |
![]() | PQ35/35-3C81 | PQ35/35-3C81 FERROX SMD or Through Hole | PQ35/35-3C81.pdf | |
![]() | SD022304 | SD022304 MT QFP | SD022304.pdf | |
![]() | 41520H | 41520H ORIGINAL SMD or Through Hole | 41520H.pdf | |
![]() | HD74AC174FPEL | HD74AC174FPEL HITACHI SOP-16 | HD74AC174FPEL.pdf | |
![]() | LMH6658MM+ | LMH6658MM+ NSC SMD or Through Hole | LMH6658MM+.pdf | |
![]() | MAX7058ATG+-ND | MAX7058ATG+-ND Max Unknown | MAX7058ATG+-ND.pdf | |
![]() | ILB1206BB121V | ILB1206BB121V VISHAY SMD | ILB1206BB121V.pdf | |
![]() | MQ1168-GAC | MQ1168-GAC MEDIAQ SMD or Through Hole | MQ1168-GAC.pdf | |
![]() | GRM21BR72A473KA01C | GRM21BR72A473KA01C MURATA SMD | GRM21BR72A473KA01C.pdf |