창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVMFS5833NT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVMFS5833N(WF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1714pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVMFS5833NT3G | |
관련 링크 | NVMFS58, NVMFS5833NT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | H11AA2 | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-DIP | H11AA2.pdf | |
![]() | UM92100F/AY | UM92100F/AY UMC SMD or Through Hole | UM92100F/AY.pdf | |
![]() | NJU3716M-TE2 | NJU3716M-TE2 JRC SMD or Through Hole | NJU3716M-TE2.pdf | |
![]() | EXB605-0A | EXB605-0A FUJ SMD or Through Hole | EXB605-0A.pdf | |
![]() | STTH1L02U | STTH1L02U Taychipst DO-214AA | STTH1L02U.pdf | |
![]() | 02DZ7.5 | 02DZ7.5 TOSHIBA SOD-323 | 02DZ7.5.pdf | |
![]() | CD32 27UH | CD32 27UH ORIGINAL SMD or Through Hole | CD32 27UH.pdf | |
![]() | 1BCN31AB980020 | 1BCN31AB980020 BLECHNOLEGIES SMD | 1BCN31AB980020.pdf | |
![]() | DAM1MA27 27V | DAM1MA27 27V HITACHI DO-214AC | DAM1MA27 27V.pdf | |
![]() | WDG964 | WDG964 ORIGINAL CDIP | WDG964.pdf | |
![]() | BC337-25-AT | BC337-25-AT KEC SMD or Through Hole | BC337-25-AT.pdf |