창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFS5833NT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFS5833N(WF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1714pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFS5833NT3G | |
| 관련 링크 | NVMFS58, NVMFS5833NT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SMCG5650AE3/TR13 | TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO215AB | SMCG5650AE3/TR13.pdf | |
![]() | CMF555K9400BHEK | RES 5.94K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF555K9400BHEK.pdf | |
![]() | Y118919K0830TR13L | RES 19.083KOHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y118919K0830TR13L.pdf | |
![]() | XH81 | XH81 ORIGINAL SMD or Through Hole | XH81.pdf | |
![]() | T4376573 | T4376573 ORIGINAL BGA | T4376573.pdf | |
![]() | IXSH16N60U1 | IXSH16N60U1 IXYS TO-247 | IXSH16N60U1.pdf | |
![]() | BR2202S | BR2202S STANLEY ROHS | BR2202S.pdf | |
![]() | TLGD175 | TLGD175 TOSHIBA SMD or Through Hole | TLGD175.pdf | |
![]() | LP-165C-1 | LP-165C-1 LANKOM THT | LP-165C-1.pdf | |
![]() | TPA2006D1 | TPA2006D1 ORIGINAL SMD or Through Hole | TPA2006D1.pdf | |
![]() | AMS1085V18 | AMS1085V18 AMS TO220CUWireonCU | AMS1085V18.pdf | |
![]() | LTC1252CN8 | LTC1252CN8 LT DIP8 | LTC1252CN8.pdf |