창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVMFS5833NT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVMFS5833N(WF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1714pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVMFS5833NT3G | |
관련 링크 | NVMFS58, NVMFS5833NT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
UUJ1H102MNQ1ZD | 1000µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 5000 Hrs @ 105°C | UUJ1H102MNQ1ZD.pdf | ||
![]() | 416F27123IDR | 27.12MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27123IDR.pdf | |
![]() | SP1210R-104G | 100µH Shielded Wirewound Inductor 154mA 8.7 Ohm Max Nonstandard | SP1210R-104G.pdf | |
![]() | ERJ-S08F93R1V | RES SMD 93.1 OHM 1% 1/4W 1206 | ERJ-S08F93R1V.pdf | |
![]() | TNPW0402165RBETD | RES SMD 165 OHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW0402165RBETD.pdf | |
![]() | MB826415 | MB826415 FUJ CDIP | MB826415.pdf | |
![]() | S-1132B25-16T2G | S-1132B25-16T2G SNT-AH SMD or Through Hole | S-1132B25-16T2G.pdf | |
![]() | PA3357U3BRL | PA3357U3BRL TOSHIBA SMD or Through Hole | PA3357U3BRL.pdf | |
![]() | XRT75L04DIV/ | XRT75L04DIV/ EXAR SMD or Through Hole | XRT75L04DIV/.pdf | |
![]() | NJM2903MY-105(TE1) | NJM2903MY-105(TE1) JRC SOP | NJM2903MY-105(TE1).pdf | |
![]() | MDS50-14-12 | MDS50-14-12 ORIGINAL SMD or Through Hole | MDS50-14-12.pdf | |
![]() | U12HA0.4C-TU1-A-W | U12HA0.4C-TU1-A-W ORIGINAL SMD or Through Hole | U12HA0.4C-TU1-A-W.pdf |