창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFS5833NT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFS5833N(WF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1714pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFS5833NT1G | |
| 관련 링크 | NVMFS58, NVMFS5833NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | TLJN686M004R8000 | 68µF Molded Tantalum Capacitors 4V 0805 (2012 Metric) 8 Ohm 0.081" L x 0.051" W (2.05mm x 1.30mm) | TLJN686M004R8000.pdf | |
![]() | TMP91C630F | TMP91C630F ORIGINAL SMD or Through Hole | TMP91C630F.pdf | |
![]() | LBW5SM-EZFY-35-Z-LM | LBW5SM-EZFY-35-Z-LM OSRAM original | LBW5SM-EZFY-35-Z-LM.pdf | |
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![]() | SG2004JJAN | SG2004JJAN ORIGINAL SMD or Through Hole | SG2004JJAN.pdf | |
![]() | KDV804S-B-RTK | KDV804S-B-RTK KEC SOT23 | KDV804S-B-RTK.pdf | |
![]() | L2A1592-002 | L2A1592-002 LSI BGA3535 | L2A1592-002.pdf | |
![]() | N25301SP210E | N25301SP210E Agilent BGA | N25301SP210E.pdf | |
![]() | HY5DU561622FFP | HY5DU561622FFP HYNIX FBGA | HY5DU561622FFP.pdf | |
![]() | IS61NP25636133TQ | IS61NP25636133TQ ISSI DIP | IS61NP25636133TQ.pdf | |
![]() | MB95F314EPMC-G-SNE2 | MB95F314EPMC-G-SNE2 Fujitsu 80LQFP-M37 -40 C 8 | MB95F314EPMC-G-SNE2.pdf |