창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVMFS4C05NWFT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVMFS4C05N(WF) | |
PCN 설계/사양 | Enlarged Clip Implementation 15/Jan/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24.7A(Ta), 116A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1972pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3.61W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVMFS4C05NWFT3G | |
관련 링크 | NVMFS4C05, NVMFS4C05NWFT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | B32521C6473J | 0.047µF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial 0.512" L x 0.197" W (13.00mm x 5.00mm) | B32521C6473J.pdf | |
![]() | SIT9121AI-2B1-33E200.000000T | OSC XO 3.3V 200MHZ | SIT9121AI-2B1-33E200.000000T.pdf | |
![]() | 511QBB-ABAG | 100kHz ~ 124.999MHz CMOS, Dual (Complimentary) XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 26mA Enable/Disable | 511QBB-ABAG.pdf | |
![]() | TE2117 | TE2117 ORIGINAL DIP | TE2117.pdf | |
![]() | K1943 | K1943 ORIGINAL TO220 | K1943.pdf | |
![]() | IC149-100-014-B5 | IC149-100-014-B5 FME SMD or Through Hole | IC149-100-014-B5.pdf | |
![]() | 16MS722MEFC 4X7 | 16MS722MEFC 4X7 RUBYCON SMD or Through Hole | 16MS722MEFC 4X7.pdf | |
![]() | 9548- | 9548- AMIKEY DIP | 9548-.pdf | |
![]() | 703100GJ | 703100GJ NEC QFP | 703100GJ.pdf | |
![]() | 1N4735ARL | 1N4735ARL ORIGINAL SMD or Through Hole | 1N4735ARL.pdf | |
![]() | S-L2985B28-H4 | S-L2985B28-H4 SEIKO 3000R | S-L2985B28-H4.pdf | |
![]() | MD83188/B | MD83188/B INTEL DIP | MD83188/B.pdf |