창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFS4C01NT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFS4C01N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 49A(Ta), 319A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.9 m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 139nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10144pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 3.84W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFS4C01NT1G | |
| 관련 링크 | NVMFS4C, NVMFS4C01NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | AT0402BRD07383RL | RES SMD 383 OHM 0.1% 1/16W 0402 | AT0402BRD07383RL.pdf | |
![]() | RT0805WRC072K37L | RES SMD 2.37KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRC072K37L.pdf | |
![]() | EXB-24V110JX | RES ARRAY 2 RES 11 OHM 0404 | EXB-24V110JX.pdf | |
![]() | H7210I | H7210I HARRIS SOP8 | H7210I.pdf | |
![]() | JDG6R | JDG6R ORIGINAL TSOPJW-12 | JDG6R.pdf | |
![]() | SA78HV12CD | SA78HV12CD SIGNETICS SMD or Through Hole | SA78HV12CD.pdf | |
![]() | XW-602HB3 UUB1 | XW-602HB3 UUB1 XW SMD or Through Hole | XW-602HB3 UUB1.pdf | |
![]() | 34923A | 34923A ORIGINAL NEW | 34923A.pdf | |
![]() | CA82C37A-8IN | CA82C37A-8IN TUNDRA PLCC44 | CA82C37A-8IN.pdf | |
![]() | 6MBI450V-120 | 6MBI450V-120 FUJI FUJI | 6MBI450V-120.pdf | |
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