창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVMFD5877NLWFT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVMFD5877NL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 39m옴 @ 7.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 540pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-DFN(5x6) 이중 플래그(SO8FL 이중 비대칭) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVMFD5877NLWFT3G | |
관련 링크 | NVMFD5877, NVMFD5877NLWFT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | ELXM3B1VSN271MQ35S | 270µF 315V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 7000 Hrs @ 105°C | ELXM3B1VSN271MQ35S.pdf | |
![]() | UFS370GE3/TR13 | DIODE GEN PURP 700V 3A DO215AB | UFS370GE3/TR13.pdf | |
![]() | BZB84-C15,215 | DIODE ZENER ARRAY 15V SOT23 | BZB84-C15,215.pdf | |
![]() | T1A-1000-1R8 | T1A-1000-1R8 MINI SMD or Through Hole | T1A-1000-1R8.pdf | |
![]() | 35302 | 35302 IR SOP-8 | 35302.pdf | |
![]() | R5F10E8AALA | R5F10E8AALA Renesas SMD or Through Hole | R5F10E8AALA.pdf | |
![]() | 216Q9NCCGA13FH M9-CSP32 | 216Q9NCCGA13FH M9-CSP32 ATI BGA | 216Q9NCCGA13FH M9-CSP32.pdf | |
![]() | BUZ74. | BUZ74. PHI/SIE TO-220 | BUZ74..pdf | |
![]() | IX0499AW | IX0499AW SHARP QFP100 | IX0499AW.pdf | |
![]() | BTSS21OG | BTSS21OG SOP BT | BTSS21OG.pdf | |
![]() | USW1H0R1MDD1TD | USW1H0R1MDD1TD NICHICON SMD | USW1H0R1MDD1TD.pdf | |
![]() | ERJ1WYJ100U | ERJ1WYJ100U PAN SMD or Through Hole | ERJ1WYJ100U.pdf |