창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFD5877NLWFT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFD5877NL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 39m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 540pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-DFN(5x6) 이중 플래그(SO8FL 이중 비대칭) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFD5877NLWFT3G | |
| 관련 링크 | NVMFD5877, NVMFD5877NLWFT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 4306R-101-750 | RES ARRAY 5 RES 75 OHM 6SIP | 4306R-101-750.pdf | |
![]() | CW01030R00JR29 | RES 30 OHM 13W 5% AXIAL | CW01030R00JR29.pdf | |
![]() | C3216Y5V1C105Z00T | C3216Y5V1C105Z00T TDK 1206 | C3216Y5V1C105Z00T.pdf | |
![]() | 2SK2907 | 2SK2907 FUJI TO-3P | 2SK2907.pdf | |
![]() | F931A336MBA 10V33UF-B | F931A336MBA 10V33UF-B NICHICON SMD or Through Hole | F931A336MBA 10V33UF-B.pdf | |
![]() | SZP35099RL | SZP35099RL ONS SMD or Through Hole | SZP35099RL.pdf | |
![]() | UM61256GS-8 | UM61256GS-8 UMC SOJ-28 | UM61256GS-8.pdf | |
![]() | LGM670-K2M1-1 | LGM670-K2M1-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | LGM670-K2M1-1.pdf | |
![]() | T83-C600X | T83-C600X EPCOS DIP | T83-C600X.pdf | |
![]() | LM2792LD-L/NOPB | LM2792LD-L/NOPB NSC Call | LM2792LD-L/NOPB.pdf | |
![]() | CD-15011 | CD-15011 ORIGINAL SMD or Through Hole | CD-15011.pdf | |
![]() | GRM1532C1H9R0DDD5D | GRM1532C1H9R0DDD5D MURATA SMD | GRM1532C1H9R0DDD5D.pdf |