창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFD5877NLT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFD5877NL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 39m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 540pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-DFN(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFD5877NLT3G | |
| 관련 링크 | NVMFD587, NVMFD5877NLT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | CDS10FD910JO3 | MICA | CDS10FD910JO3.pdf | |
![]() | S0402-33NF3E | 33nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 370 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-33NF3E.pdf | |
![]() | CLM4B-AKB | CLM4B-AKB CREE ROHS | CLM4B-AKB.pdf | |
![]() | PA5521 | PA5521 ORIGINAL SMD or Through Hole | PA5521.pdf | |
![]() | LF27AB | LF27AB ST SMD or Through Hole | LF27AB.pdf | |
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![]() | SM18CXC190 | SM18CXC190 WESTCODE SMD or Through Hole | SM18CXC190.pdf | |
![]() | 0603AS-1N8K-01 | 0603AS-1N8K-01 Fastron SMD0603 | 0603AS-1N8K-01.pdf | |
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![]() | 96BB2-056-F | 96BB2-056-F GrayhillInc SMD or Through Hole | 96BB2-056-F.pdf | |
![]() | MA521 | MA521 ORIGINAL SOP-8 | MA521.pdf |