창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVMFD5877NLT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NVMFD5877NL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 39m옴 @ 7.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 540pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-DFN(5x6) 이중 플래그(SO8FL 이중 비대칭) | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | NVMFD5877NLT1G-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVMFD5877NLT1G | |
관련 링크 | NVMFD587, NVMFD5877NLT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 381LX222M063H022 | 2200µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | 381LX222M063H022.pdf | |
![]() | NSV40302PDR2G | TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC | NSV40302PDR2G.pdf | |
RSMF12JT82R0 | RES MO 1/2W 82OHM 5% AXL | RSMF12JT82R0.pdf | ||
![]() | CT-L60DC04-1G-BD | CT-L60DC04-1G-BD ORIGINAL BGA | CT-L60DC04-1G-BD.pdf | |
![]() | 7100DE. | 7100DE. ALLERGO DIP-40 | 7100DE..pdf | |
![]() | LQM21NNR18K10L | LQM21NNR18K10L MURATA O805 | LQM21NNR18K10L.pdf | |
![]() | NLXP610PE.B1 | NLXP610PE.B1 INT ORIGINAL | NLXP610PE.B1.pdf | |
![]() | 567121-1 | 567121-1 TYCO ORIGINAL | 567121-1.pdf | |
![]() | SN65LBC184R | SN65LBC184R TI SMD or Through Hole | SN65LBC184R.pdf | |
![]() | HY5DU573222/F-25 | HY5DU573222/F-25 SAMSUNG BGA | HY5DU573222/F-25.pdf | |
![]() | SCB7025-100M | SCB7025-100M YAGEO SMD | SCB7025-100M.pdf | |
![]() | MAX1806EUA33+ | MAX1806EUA33+ MAXIM MSOP8 | MAX1806EUA33+.pdf |