창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFD5875NLWFT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFD5875NL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 540pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-DFN(5x6) 이중 플래그(SO8FL 이중 비대칭) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFD5875NLWFT3G | |
| 관련 링크 | NVMFD5875, NVMFD5875NLWFT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D1R8CXBAP | 1.8pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R8CXBAP.pdf | |
![]() | MKP383330100JF02W0 | 0.03µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.276" W (17.50mm x 7.00mm) | MKP383330100JF02W0.pdf | |
![]() | 416F32035AST | 32MHz ±30ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32035AST.pdf | |
![]() | MTRS5750D | PHOTO REFLECTOR FLAT EMITTER | MTRS5750D.pdf | |
![]() | MIC38C42BMM-TR | Converter Offline Boost, Buck, Flyback, Forward Topology 500kHz 8-MSOP | MIC38C42BMM-TR.pdf | |
![]() | TMP47C233AN-4126 | TMP47C233AN-4126 TOSHIBA DIP | TMP47C233AN-4126.pdf | |
![]() | 10N60L-A | 10N60L-A UTC TO-220F1 | 10N60L-A.pdf | |
![]() | EXBM16P391JY | EXBM16P391JY PANA SMD | EXBM16P391JY.pdf | |
![]() | MTC55-10 | MTC55-10 GUERTE SMD or Through Hole | MTC55-10.pdf | |
![]() | PC3-5-5 | PC3-5-5 LAMBDA SMD or Through Hole | PC3-5-5.pdf | |
![]() | ATMS2001PA1C KEMOTA | ATMS2001PA1C KEMOTA MMC QFP | ATMS2001PA1C KEMOTA.pdf |