창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFD5875NLWFT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFD5875NL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 540pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-DFN(5x6) 이중 플래그(SO8FL 이중 비대칭) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFD5875NLWFT3G | |
| 관련 링크 | NVMFD5875, NVMFD5875NLWFT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | LP184F23IDT | 18.432MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP184F23IDT.pdf | |
![]() | B82422A3220J100 | 22nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 140 mOhm Max 2-SMD | B82422A3220J100.pdf | |
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![]() | TL431LT1 / | TL431LT1 / ON SOT-23 | TL431LT1 /.pdf | |
![]() | CMPD6263C TEL:82766440 | CMPD6263C TEL:82766440 Central SMD or Through Hole | CMPD6263C TEL:82766440.pdf | |
![]() | PIC16LF1824-I/SL | PIC16LF1824-I/SL Microchip SMD or Through Hole | PIC16LF1824-I/SL.pdf | |
![]() | RGE-1000 | RGE-1000 RAYCHEM DIP | RGE-1000.pdf |