창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFD5875NLT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFD5875NL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 540pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-DFN(5x6) 이중 플래그(SO8FL 이중 비대칭) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFD5875NLT3G | |
| 관련 링크 | NVMFD587, NVMFD5875NLT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
| TZMC12-M-18 | DIODE ZENER 12V 500MW SOD80 | TZMC12-M-18.pdf | ||
![]() | 2967824 | TERM BLOCK | 2967824.pdf | |
| RP60515R0100JNBK | RES CHAS MNT 100 OHM 5% 60W | RP60515R0100JNBK.pdf | ||
![]() | RT1206DRE07634RL | RES SMD 634 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE07634RL.pdf | |
![]() | 1487594-1 | 1487594-1 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 1487594-1.pdf | |
![]() | MF6CWM50 | MF6CWM50 NSC SOP | MF6CWM50.pdf | |
![]() | PC87364-IBW | PC87364-IBW NSC PQFP128 | PC87364-IBW.pdf | |
![]() | LHL16TB103J | LHL16TB103J TAIYO DIP | LHL16TB103J.pdf | |
![]() | HC4801CZ | HC4801CZ ORIGINAL PLCC | HC4801CZ.pdf | |
![]() | XC9536-15PC44C | XC9536-15PC44C XILINX SMD or Through Hole | XC9536-15PC44C.pdf | |
![]() | XC996CE | XC996CE SHARP DIP | XC996CE.pdf | |
![]() | LQH55DN101M01 | LQH55DN101M01 ORIGINAL SMD or Through Hole | LQH55DN101M01.pdf |