ON Semiconductor NVMFD5875NLT1G

NVMFD5875NLT1G
제조업체 부품 번호
NVMFD5875NLT1G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
데이터 시트 다운로드
다운로드
NVMFD5875NLT1G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 528.18467
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NVMFD5875NLT1G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NVMFD5875NLT1G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NVMFD5875NLT1G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NVMFD5875NLT1G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NVMFD5875NLT1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NVMFD5875NLT1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NVMFD5875NL
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C7A
Rds On(최대) @ Id, Vgs33m옴 @ 7.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs20nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds540pF @ 25V
전력 - 최대3.2W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지8-DFN(5x6) 이중 플래그(SO8FL 이중 비대칭)
표준 포장 1,500
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NVMFD5875NLT1G
관련 링크NVMFD587, NVMFD5875NLT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NVMFD5875NLT1G 의 관련 제품
150pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) C0805C151K5GACTU.pdf
M25071CA ORIGINAL DIP M25071CA.pdf
UTC2025H YW DIP16 UTC2025H.pdf
D65072GD-029 OKI QFP D65072GD-029.pdf
LFCN-75 MINI SMD or Through Hole LFCN-75.pdf
B3X5/BN3333 Bossard SMD or Through Hole B3X5/BN3333.pdf
XPGWHT-R1-7C1-Q3-0-04 CREE SMD or Through Hole XPGWHT-R1-7C1-Q3-0-04.pdf
ESL101803 ANDASON SMD or Through Hole ESL101803.pdf
MMPZ5245BPT/OT CHENMKO SOD-323 MMPZ5245BPT/OT.pdf
IRGB30B60W IR TO-22 IRGB30B60W.pdf
TPS54233 TI SOP8 TPS54233.pdf
12147302 POWERSIGNALGROUP SMD or Through Hole 12147302.pdf