창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFD5853NT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFD5853N(WF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1225pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-DFN(5x6) 이중 플래그(SO8FL 이중 비대칭) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFD5853NT1G | |
| 관련 링크 | NVMFD58, NVMFD5853NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 511D107M040CC4D | 100µF 40V Aluminum Capacitors Radial, Can 1.939 Ohm @ 120Hz 1000 Hrs @ 105°C | 511D107M040CC4D.pdf | |
![]() | F1772SX235631KF0W0 | 0.056µF Film Capacitor 310V 630V Polyester, Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | F1772SX235631KF0W0.pdf | |
![]() | VS-ST173C10CFP0 | SCR INVERTER 1000V 330A A-PUK | VS-ST173C10CFP0.pdf | |
![]() | 30KPA180A-LF | 30KPA180A-LF PTK SMD or Through Hole | 30KPA180A-LF.pdf | |
![]() | 10090768-S094VLF | 10090768-S094VLF FCIELX SMD or Through Hole | 10090768-S094VLF.pdf | |
![]() | 117879- | 117879- copper SMD | 117879-.pdf | |
![]() | M3X5S-ZN-FHHS | M3X5S-ZN-FHHS N/A SMD or Through Hole | M3X5S-ZN-FHHS.pdf | |
![]() | RD10EB3 | RD10EB3 NEC SMD or Through Hole | RD10EB3.pdf | |
![]() | UWF1V100MCR1GB | UWF1V100MCR1GB NICHICON SMD or Through Hole | UWF1V100MCR1GB.pdf | |
![]() | 16.384MHZ 5*7 5070 4P | 16.384MHZ 5*7 5070 4P TAIWAN SMDDIP | 16.384MHZ 5*7 5070 4P.pdf | |
![]() | 2SB544-F-MP-AE | 2SB544-F-MP-AE ORIGINAL TO-92 | 2SB544-F-MP-AE.pdf |