창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFD5485NLT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVMFD5485NL(WF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.3A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 44m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 560pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.9W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-DFN(5x6) 이중 플래그(SO8FL 이중 비대칭) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFD5485NLT3G | |
| 관련 링크 | NVMFD548, NVMFD5485NLT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | BN274E0106K-- | 10µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 1.248" L x 0.402" W (31.70mm x 10.20mm) | BN274E0106K--.pdf | |
![]() | MMBD353LT1G | DIODE SWITCH DUAL 7V SOT23 | MMBD353LT1G.pdf | |
| EWT225JB25R0 | RES CHAS MNT 25 OHM 5% 225W | EWT225JB25R0.pdf | ||
![]() | MCR18ERTF33R0 | RES SMD 33 OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18ERTF33R0.pdf | |
![]() | CMF55976K00DHRE | RES 976K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF55976K00DHRE.pdf | |
![]() | Y0075250R000Q0L | RES 250 OHM 0.3W 0.02% RADIAL | Y0075250R000Q0L.pdf | |
![]() | DF30FB-30DP-0. | DF30FB-30DP-0. HRS SMD or Through Hole | DF30FB-30DP-0..pdf | |
![]() | 11NH5-110214-01R | 11NH5-110214-01R WINNING SMD or Through Hole | 11NH5-110214-01R.pdf | |
![]() | PCA82C250/N4112 | PCA82C250/N4112 ORIGINAL SMD or Through Hole | PCA82C250/N4112.pdf | |
![]() | 212-103 | 212-103 ORIGINAL NEW | 212-103.pdf | |
![]() | SAFSE1G57KC0T00R12 | SAFSE1G57KC0T00R12 MURATA SMD | SAFSE1G57KC0T00R12.pdf |