ON Semiconductor NVMD6P02R2G

NVMD6P02R2G
제조업체 부품 번호
NVMD6P02R2G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC
데이터 시트 다운로드
다운로드
NVMD6P02R2G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 712.64800
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NVMD6P02R2G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NVMD6P02R2G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NVMD6P02R2G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NVMD6P02R2G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NVMD6P02R2G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NVMD6P02R2G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
표준 포장 2,500
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 P-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C4.8A
Rds On(최대) @ Id, Vgs33m옴 @ 6.2A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs35nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1700pF @ 16V
전력 - 최대750mW
작동 온도-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SOIC
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NVMD6P02R2G
관련 링크NVMD6P, NVMD6P02R2G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NVMD6P02R2G 의 관련 제품
1500µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 4000 Hrs @ 105°C EKZE6R3ELL152MJ20S.pdf
5.1pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) VJ0603D5R1DXXAC.pdf
LM4041DIMX-1.2 ORIGINAL SMD or Through Hole LM4041DIMX-1.2.pdf
SF6801A ORIGINAL QFP-64 SF6801A.pdf
25R1A10MS90 IR SMD or Through Hole 25R1A10MS90.pdf
LTC4445CDE#PBF LT QFN LTC4445CDE#PBF.pdf
GRM39B225K6.3H53X MURATA SMD GRM39B225K6.3H53X.pdf
LA1225MTLME SHARP SMD or Through Hole LA1225MTLME.pdf
99PL128JC SPANSION BGA 99PL128JC.pdf
CA45A B 15UF 6.3V M TASUND SMD or Through Hole CA45A B 15UF 6.3V M.pdf
ME2801A27PG ME SMD or Through Hole ME2801A27PG.pdf
MP38872DL-LF-Z MPS QFN MP38872DL-LF-Z.pdf