창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVF6P02T3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTF6P02, NVF6P02 | |
PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 6A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 16V | |
전력 - 최대 | 8.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223(TO-261) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | NVF6P02T3G-ND NVF6P02T3GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVF6P02T3G | |
관련 링크 | NVF6P0, NVF6P02T3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
SEK4R7M160ST | 4.7µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can 42.35 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | SEK4R7M160ST.pdf | ||
![]() | VJ0402D1R5DLCAC | 1.5pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R5DLCAC.pdf | |
![]() | 180KD05 | 180KD05 BK SMD or Through Hole | 180KD05.pdf | |
![]() | SMCJ19A-13-F | SMCJ19A-13-F DIODES DO-214AB | SMCJ19A-13-F.pdf | |
![]() | M34351M8-524SP | M34351M8-524SP MIT DIP | M34351M8-524SP.pdf | |
![]() | DS90UR905 | DS90UR905 NS LLP-48 | DS90UR905.pdf | |
![]() | XCS40XL-5BG256I | XCS40XL-5BG256I XILINX TQFP | XCS40XL-5BG256I.pdf | |
![]() | RG82P4300 | RG82P4300 Intel SMD or Through Hole | RG82P4300.pdf | |
![]() | 7661631O3GPTR7 | 7661631O3GPTR7 N/A NA | 7661631O3GPTR7.pdf | |
![]() | CXD3408GA | CXD3408GA SONY QFN | CXD3408GA.pdf | |
![]() | AD9461-LVDS/PCBZ | AD9461-LVDS/PCBZ ADI BOARD | AD9461-LVDS/PCBZ.pdf | |
![]() | AT91SAM7A2AU | AT91SAM7A2AU ATMEL SMD or Through Hole | AT91SAM7A2AU.pdf |