창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVD6415ANT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTD6415AN | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 55m옴 @ 23A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVD6415ANT4G | |
관련 링크 | NVD6415, NVD6415ANT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | Y00771K50000B0L | RES 1.5K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00771K50000B0L.pdf | |
![]() | R1WV3216RSD-8SIB01N | R1WV3216RSD-8SIB01N RENESAS BGA | R1WV3216RSD-8SIB01N.pdf | |
![]() | FBM4532HS101PT 101-1812 | FBM4532HS101PT 101-1812 TAIYO SMD or Through Hole | FBM4532HS101PT 101-1812.pdf | |
![]() | BTA212B-800 | BTA212B-800 PH TO-263 | BTA212B-800.pdf | |
![]() | HZS6C2L | HZS6C2L HITACHI SMD or Through Hole | HZS6C2L.pdf | |
![]() | AT56218-UQ1T | AT56218-UQ1T ATMEL QFP | AT56218-UQ1T.pdf | |
![]() | LC1208CC3TR18 | LC1208CC3TR18 Leadchip SOT89-3 | LC1208CC3TR18.pdf | |
![]() | TRC10020 | TRC10020 TRC DIP-8 | TRC10020.pdf | |
![]() | LQH31MN100K01L 100-1206 | LQH31MN100K01L 100-1206 MURATA SMD or Through Hole | LQH31MN100K01L 100-1206.pdf | |
![]() | MMBT9012 2T1 | MMBT9012 2T1 ORIGINAL SOT-23 | MMBT9012 2T1.pdf | |
![]() | 3Ck2H | 3Ck2H CHINA a | 3Ck2H.pdf | |
![]() | A3 2627-5 | A3 2627-5 HARRIS DIP-8 | A3 2627-5.pdf |