창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVD6415ANT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTD6415AN | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 55m옴 @ 23A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 700pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 83W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVD6415ANT4G | |
| 관련 링크 | NVD6415, NVD6415ANT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | TNPW08052K74BEEA | RES SMD 2.74K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW08052K74BEEA.pdf | |
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![]() | UCC3813N-2/N3/N-3 | UCC3813N-2/N3/N-3 ORIGINAL DIP-8 | UCC3813N-2/N3/N-3.pdf | |
![]() | UMJ-123-D14 | UMJ-123-D14 UMC SMD or Through Hole | UMJ-123-D14.pdf | |
![]() | 2SK118-O/TE4.F | 2SK118-O/TE4.F TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SK118-O/TE4.F.pdf | |
![]() | 462711-0500 | 462711-0500 DENSO BGA | 462711-0500.pdf | |
![]() | LA8513JG | LA8513JG LINEARARTWORK SOP8 | LA8513JG.pdf | |
![]() | G2JB | G2JB ORIGINAL TO23-6 | G2JB.pdf | |
![]() | 2SJ550(L)/(S) | 2SJ550(L)/(S) ORIGINAL TO | 2SJ550(L)/(S).pdf | |
![]() | LNJ906W5BRW | LNJ906W5BRW PANASONIC ROHS | LNJ906W5BRW.pdf |