창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVD6414ANT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTD6414AN | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 37m옴 @ 32A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1450pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVD6414ANT4G | |
관련 링크 | NVD6414, NVD6414ANT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
IMC1210BNR12M | 120nH Unshielded Wirewound Inductor 584mA 220 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210BNR12M.pdf | ||
MCR10EZHF1911 | RES SMD 1.91K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZHF1911.pdf | ||
RT0603BRC0768K1L | RES SMD 68.1KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRC0768K1L.pdf | ||
ATMEGA16HVB | ATMEGA16HVB ATMEL SMD or Through Hole | ATMEGA16HVB.pdf | ||
C2016 | C2016 ORIGINAL TO-220 | C2016.pdf | ||
DS1218/1210 | DS1218/1210 DALLAS DIP | DS1218/1210.pdf | ||
M1D-95 | M1D-95 ORIGINAL DIP | M1D-95.pdf | ||
AO77N65 | AO77N65 AO TO-220 | AO77N65.pdf | ||
ICS403G-01L | ICS403G-01L ICS TSSOP | ICS403G-01L.pdf | ||
170071-2 | 170071-2 Tyco con | 170071-2.pdf | ||
LS-131 | LS-131 ORIGINAL SMD or Through Hole | LS-131.pdf | ||
IRF7304-SOP8 | IRF7304-SOP8 ORIGINAL SMD or Through Hole | IRF7304-SOP8.pdf |