창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVD6414ANT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTD6414AN | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 37m옴 @ 32A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1450pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVD6414ANT4G | |
관련 링크 | NVD6414, NVD6414ANT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | RNF14BAE4K17 | RES 4.17K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAE4K17.pdf | |
![]() | LNSW20G223H | LNSW20G223H lat SMD or Through Hole | LNSW20G223H.pdf | |
![]() | ADN242AR | ADN242AR AD SMD or Through Hole | ADN242AR.pdf | |
![]() | CX3505IMZ | CX3505IMZ CONEXANT LGA 20P | CX3505IMZ.pdf | |
![]() | RJ80530GZ006512 | RJ80530GZ006512 INTEL SMD or Through Hole | RJ80530GZ006512.pdf | |
![]() | IRF2905N | IRF2905N IR TO-220 | IRF2905N.pdf | |
![]() | C3215X7R1C225KT | C3215X7R1C225KT N/A SMD | C3215X7R1C225KT.pdf | |
![]() | BHZ | BHZ TI DFN8 | BHZ.pdf | |
![]() | POM412498S20D | POM412498S20D ORIGINAL CDIP | POM412498S20D.pdf | |
![]() | XC4005-PC84C | XC4005-PC84C ORIGINAL SMD or Through Hole | XC4005-PC84C.pdf | |
![]() | 4N35-X1 | 4N35-X1 ISOCOM DIPSOP | 4N35-X1.pdf |