ON Semiconductor NVD5890NLT4G
- 제조업체 부품 번호
- NVD5890NLT4G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 123A DPAK
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
NVD5890NLT4G 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 862.83280
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 NVD5890NLT4G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NVD5890NLT4G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NVD5890NLT4G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- NVD5890NLT4G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NVD5890NLT4G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NVD5890NLT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVD5890NL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Ta), 123A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4760pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVD5890NLT4G | |
| 관련 링크 | NVD5890, NVD5890NLT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
NVD5890NLT4G 의 관련 제품
 | 25MS533MEFC6.3X5 | 33µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | 25MS533MEFC6.3X5.pdf | |
 | MA101A330JAA-BULK | 33pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.090" Dia x 0.160" L(2.29mm x 4.07mm) | MA101A330JAA-BULK.pdf | |
 | SIT8009AC-83-33E-125.000000X | 125MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 7.5mA Enable/Disable | SIT8009AC-83-33E-125.000000X.pdf | |
 | 1N4754AE3/TR13 | DIODE ZENER 39V 1W DO204AL | 1N4754AE3/TR13.pdf | |
 | MLG1005S2N0CT000 | 2nH Unshielded Multilayer Inductor 900mA 150 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | MLG1005S2N0CT000.pdf | |
 | L812HW-R33MF | L812HW-R33MF TAITECH SMD | L812HW-R33MF.pdf | |
| STN4922 | STN4922 SEMTRON-MICRO SOP-8 | STN4922.pdf | |
| LT1211I | LT1211I ORIGINAL SMD or Through Hole | LT1211I.pdf | |
| frc32c2b100jtp | frc32c2b100jtp ORIGINAL SMD or Through Hole | frc32c2b100jtp.pdf | |
| DG409DQ | DG409DQ SI TSSOP-16 | DG409DQ.pdf | |
| HU52W121MCYS2PF | HU52W121MCYS2PF HIT SMD or Through Hole | HU52W121MCYS2PF.pdf |