창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVD5862NT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NVD5862N | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound Update 25/Feb/2015 Mold Compound Revision 24/Apr/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Ta), 98A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.7m옴 @ 48A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 82nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 4.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVD5862NT4G | |
| 관련 링크 | NVD586, NVD5862NT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | G3VM-353B | Solid State Relay SPST-NC (1 Form B) 6-DIP (0.300", 7.62mm) | G3VM-353B.pdf | |
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![]() | 4416P-T01-151 | RES ARRAY 8 RES 150 OHM 16SOIC | 4416P-T01-151.pdf | |
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![]() | MAX187CCP | MAX187CCP MAXIM DIP | MAX187CCP.pdf | |
![]() | 1N1202AJANTXV | 1N1202AJANTXV Microsemi NA | 1N1202AJANTXV.pdf | |
![]() | B25834-D0156-K004 | B25834-D0156-K004 EPCOS SMD or Through Hole | B25834-D0156-K004.pdf | |
![]() | IDT2308-4DCI8 | IDT2308-4DCI8 IDT SMD or Through Hole | IDT2308-4DCI8.pdf | |
![]() | RLZTE-1115 15V | RLZTE-1115 15V ROHM LL34 | RLZTE-1115 15V.pdf |